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固态硬盘是未来的主流。 目前,固态硬盘的寿命问题还令人担忧。 但是,固态硬盘和机械硬盘都有所谓的损耗。 但是,固态硬盘在初期并不完全成熟,表明损失很大。 随着技术的成熟,固态硬盘必然会成为主流。 目前,SSD的存储容量和价格似乎已经成为最大的“硬损害”,但可以通过所谓的“3d nand”方式来解决这个问题。 (在存储器芯片的核心上堆积越来越多的层位) )三星可以将120gb封装在USB存储器大小的外壳中,还有什么其他好的对策吗?

“固态硬盘的改革创新始点!RRAM将取代3D NAND”

除了3d nand以外,还有可以处理存储容量问题的技术,年成立的crossbar侧重于另一种处理方案“电阻型随机存储器”( resistive random access memory,简称rram )。 虽然被称为ram,但这是“非易失性”的随机存取器,即使切断外部供电也能留下新闻。 crossbar的处理方案是将rram堆积成立方体形状的结构,展开为3个维度。 这样,从理论上讲,一个芯片可以提供1tb的存储容量,但实际应用上还存在一些问题。 “电流泄漏”会大幅增加功耗,有时“硬盘”完全无法使用。

“固态硬盘的改革创新始点!RRAM将取代3D NAND”

但是,crossbar还发现了“使用多条并行传导路径来抑制电流泄漏,从而限制阵列的最大规模和功耗的增加”的应对措施。 该技术称为“1晶体管驱动电子存储器单元”(1transistordrivingnresistivememorycell ),简称“1tnr”,最多可连接2000个存储器单元。 该技术已经通过实验验证,而且该设计可以承受上亿次的采用周期,开关状态切换延迟也小于50ns,在性能和耐久性方面将比目前的固态硬盘有较大提高。 但是,这家企业没有表明这些顾客对这项技术感兴趣,到年底,我们还没有在支出级零售市场看到同样的产品。

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